半導體材料成分分析介紹

半導體材料成分分析的主要手段有：XPS,、AES、SIMS,、XRD,、EDS、Raman等,。XPS全稱X射線光電子能譜分析(X-rayphotoelectron spectroscopy, XPS)是用X射線去輻射樣品,，使原子或分子的內層電子或價電子受激發(fā)射出來。被光子激發(fā)出來的電子稱為光電子,，可以測量光電子的能量,，以光電子的動能為橫坐標，相對強度(脈沖/s)為縱坐標可做出光電子能譜圖,，從而獲得待測物組成,。AES（俄歇電子能譜法）是用具有一定能量的電子束(或X射線)激發(fā)樣品俄歇效應，通過檢測俄歇電子的能量和強度,，從而獲得有關材料表面化學成分和結構的信息的方法,。利用受激原子俄歇躍遷退激過程發(fā)射的俄歇電子對試樣微區(qū)的表面成分進行的定性定量分析。SIMS全稱二次離子質譜（secondary ion mass spectroscopy）,，是一種非常靈敏的表面成份精密分析儀器,，它是通過高能量的一次離子束轟擊樣品表面，使樣品表面的分析吸收能量而從表面發(fā)生濺射產生二次粒子,通過質量分析器收集,、分析這些二次離子,，就可以得到關于樣品表面信息的圖譜。EDS能譜儀(Energy Dispersive Spectrometer)是用來對材料微區(qū)成分元素種類與含量分析,，配合掃描電子顯微鏡與透射電子顯微鏡的使用,。拉曼光譜（Raman spectra），是一種散射光譜,。拉曼光譜分析法是基于印度科學家C.V.拉曼（Raman）所發(fā)現(xiàn)的拉曼散射效應，對與入射光頻率不同的散射光譜進行分析以得到分子振動,、轉動方面信息,，并應用于分子結構研究的一種分析方法,。

（俄歇電子能譜法）

（EDS能譜儀）